光催化反應中要注意的點

   光催化性能影響因素：
   1.  催化劑能帶結構
   *，光催化核心的概念是光催化劑吸收光能后，產生具有還原能力的電子e-和具備氧化能力的空穴h+，e-和h+再將接觸到的其他物質（H2O、污染物、重金屬離子、CO2等）還原、氧化掉。

   2. 催化劑形貌
   催化劑由于制備方法、反應時間、溫度等不同會得到不同的形貌

   3.  晶面
   光催化反應發生在半導體表面，因而半導體表面表面原子結構對催化劑催化性能有很大影響

   4. 催化劑尺寸
   光催化劑粒徑尺寸與其催化性能息息相關。

   5.  催化劑晶型結構
   晶型結構對催化性能影響典型代表莫過于TiO2了，TiO2有三種晶型結構-銳鈦礦型、金紅石型以及板鈦礦型，常見的為銳鈦礦型和金紅石型，晶型結構不同導致它們具有不同的禁帶寬度

   6.  催化劑缺陷
   缺陷對半導體材料的電子結構、光吸收性能、表面吸附性能等都有影響。

   7.  pH
   pH對光催化性能影響明顯的莫過于染料降解了，不同染料在溶液中pH不同，染料所帶電荷與催化劑表面電荷的同異將直接影響吸附性能，進而影響到后續的催化降解

   8.  光源
   光源對催化性能影響主要體現在光照波長與光照強度兩個因素。